K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYK00 توسط Samsung Electronics و W634GU6RB09J توسط Winbond. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Winbond |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| بسته‌بندی | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| تأخیر CAS | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| رابط | — | Parallel |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |