K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WE-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| العلبة | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| حالة RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |