K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WE-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | 512M x 8 |
| קצב נתונים | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| מארז | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| סטטוס RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |