K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WE-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS स्थिति | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |