K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G085WE-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G085WD-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |