K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A4G085WE-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Tổ chức | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Hộp | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |