K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WE-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| پیکیج | FBGA-78 | FBGA-78 (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |