YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ YZ48G08V-F9HPI-M بواسطة Loongtion و K4A8G085WC-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Loongtion | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel | POD-12 |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| العلبة | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |