YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma YZ48G08V-F9HPI-M tarafından Loongtion ve K4A8G085WC-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | Parallel | POD-12 |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Paket | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |