YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار YZ48G08V-F9HPI-M توسط Loongtion و K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر YZ48G08V-F9HPI-M K4A8G085WC-BIWE
برند Loongtion Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
سازمان 1G x 8 1G x 8
نرخ داده 3200 MT/s 3200 Mbps
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
محدوده دمای کاری -40°C to +85°C -40°C to +95°C
Package Type FBGA78 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
رابط Parallel POD-12
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 (CL22)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
بسته‌بندی — 78-FBGA
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت