YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של YZ48G08V-F9HPI-M מאת Loongtion ו K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Loongtion | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel | POD-12 |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| מארז | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |