YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng YZ48G08V-F9HPI-M sa pamamagitan ng Loongtion at K4A8G085WC-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | YZ48G08V-F9HPI-M | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Brand | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Package Type | FBGA78 | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel | POD-12 |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (CL22) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Packhaging | — | 78-FBGA |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |