YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از YZ48G08V-F9HPI-M بذریعہ Loongtion اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر YZ48G08V-F9HPI-M K4A8G085WC-BIWE
برانڈ Loongtion Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 MT/s 3200 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +85°C -40°C to +95°C
Package Type FBGA78 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس Parallel POD-12
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 (CL22)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
پیکیج — 78-FBGA
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں