YZ48G08V-F9HPI-M vs K4A8G085WC-BIWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা YZ48G08V-F9HPI-M নির্দিষ্ট Loongtion ও K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার YZ48G08V-F9HPI-M K4A8G085WC-BIWE
ব্র্যান্ড Loongtion Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
ডেটা রেট 3200 MT/s 3200 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40°C to +85°C -40°C to +95°C
Package Type FBGA78 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ইন্টারফেস Parallel POD-12
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 (CL22)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
প্যাকেজ — 78-FBGA
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট