IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IS43TR16256AL-125KBL নির্দিষ্ট ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ও K4B4G1646E-BYMATCV নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| প্যাকেজ | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS লেটেন্সি | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |