IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43TR16256AL-125KBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعالSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برانڈ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| پیکیج | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |