IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IS43TR16256AL-125KBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ו K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ פעילSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| מותג | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| ממשק | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| מארז | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| מספר פינים | — | 96 |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| השהיית CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |