IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43TR16256AL-125KBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعالSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| بسته‌بندی | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| تأخیر CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |