IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43TR16256AL-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| الواجهة | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| العلبة | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |