IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV So sánh
So sánh chi tiết song song của IS43TR16256AL-125KBL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc và K4B4G1646E-BYMATCV bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Thương hiệu | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| Giao diện | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| Hộp | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Latency CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |