IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43TR16256AL-125KBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ब्रांड | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| पैकेज | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |