STW45NM50 vs IRFP260MPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা STW45NM50 নির্দিষ্ট STMicroelectronics ও IRFP260MPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

STMicroelectronics
STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFP260MPBF IRFP260MPBF - 200V 50A N-Channel MOSFET | Infineon TO-247AC

IRFP260MPBF - 200V 50A N-Channel MOSFET | Infineon TO-247AC

IRFP260MPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার STW45NM50 IRFP260MPBF
ব্র্যান্ড STMicroelectronics Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) $9.55 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C -55C to +175C
প্যাকেজ TO-247 —
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
প্যাকেজ / কেস — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
MSL লেভেল — Not Applicable (through-hole)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট