STW45NM50 vs IRFP260MPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار STW45NM50 توسط STMicroelectronics و IRFP260MPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

STMicroelectronics
STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر STW45NM50 IRFP260MPBF
برند STMicroelectronics Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $9.55 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C -55C to +175C
بسته‌بندی TO-247 —
نوع نصب Through Hole Through Hole
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
بسته‌بندی / کیس — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
سطح MSL — Not Applicable (through-hole)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت