STW45NM50 vs IRFP260MPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של STW45NM50 מאת STMicroelectronics ו IRFP260MPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

STMicroelectronics
STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר STW45NM50 IRFP260MPBF
מותג STMicroelectronics Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $9.55 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C -55C to +175C
מארז TO-247 —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
מארז / Case — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
רמת MSL — Not Applicable (through-hole)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר