STW45NM50 vs IRFP260MPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना STW45NM50 द्वारा STMicroelectronics और IRFP260MPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STW45NM50 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | STW45NM50 | IRFP260MPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 500 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 45 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.09 ohm | — |
| Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1.2 J | — |
| Power Dissipation (PD) | 450 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55C to +175C |
| पैकेज | TO-247 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 40 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Input Capacitance Ciss | — | 1560 pF |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| पैकेज / केस | — | TO-247AC (3-lead through-hole) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| MSL स्तर | — | Not Applicable (through-hole) |