STW45NM50 vs IRFP260MPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của STW45NM50 bằng STMicroelectronics và IRFP260MPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

STMicroelectronics
STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ Hoạt động
Infineon
IRFP260MPBF IRFP260MPBF - 200V 50A N-Channel MOSFET | Infineon TO-247AC

IRFP260MPBF - 200V 50A N-Channel MOSFET | Infineon TO-247AC

IRFP260MPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số STW45NM50 IRFP260MPBF
Thương hiệu STMicroelectronics Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C -55C to +175C
Hộp TO-247 —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
Hộp / Vỏ — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Cấp MSL — Not Applicable (through-hole)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá