STW45NM50 vs IRFP260MPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STW45NM50 بذریعہ STMicroelectronics اور IRFP260MPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STW45NM50 IRFP260MPBF
برانڈ STMicroelectronics Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $9.55 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55C to +175C
پیکیج TO-247 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
پیکیج / کیس — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
MSL لیول — Not Applicable (through-hole)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں