W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W634GU6RB09J নির্দিষ্ট Winbond ও K4B4G1646D-BYK00 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Winbond | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা রেট | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CAS লেটেন্সি | 20 ns | Programmable |
| প্যাকেজ | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | Yes |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |