W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W634GU6RB09J بذریعہ Winbond اور K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | Winbond | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CAS لیٹنسی | 20 ns | Programmable |
| پیکیج | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |