W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB09J بواسطة Winbond و K4B4G1646D-BYK00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| معدل البيانات | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | Programmable |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| الواجهة | Parallel | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |