W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار W634GU6RB09J توسط Winbond و K4B4G1646D-BYK00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| برند | Winbond | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| تأخیر CAS | 20 ns | Programmable |
| بسته‌بندی | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| رابط | Parallel | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |