W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של W634GU6RB09J מאת Winbond ו K4B4G1646D-BYK00 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| מותג | Winbond | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| קצב נתונים | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| השהיית CAS | 20 ns | Programmable |
| מארז | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| ממשק | Parallel | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |