W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma W634GU6RB09J tarafından Winbond ve K4B4G1646D-BYK00 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marka | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Veri Hızı | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CAS Gecikme | 20 ns | Programmable |
| Paket | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Arayüz | Parallel | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |