W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 比較
詳細並排比較 W634GU6RB09J 由 Winbond 與 K4B4G1646D-BYK00 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 資料速率 | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CAS 延遲 | 20 ns | Programmable |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| 介面 | Parallel | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| 無鹵素 | Yes | Yes |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| 腳位數 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |