W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB09J sa pamamagitan ng Winbond at K4B4G1646D-BYK00 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Rate ng Data | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Latensya ng CAS | 20 ns | Programmable |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Interface | Parallel | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |