W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W634GU6RB09J নির্দিষ্ট Winbond ও NT6AN8T6WBJ1B1 নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Winbond | Nanya Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| ডেটা রেট | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V | 1.2 V |
| CAS লেটেন্সি | 20 ns | 22 cycles |
| প্যাকেজ | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |