W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil W634GU6RB09J dari Winbond dan NT6AN8T6WBJ1B1 dari Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Merek | Winbond | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Ukuran Memori | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Laju Data | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Tegangan Pemuat | 1.35V | 1.2 V |
| Latensi CAS | 20 ns | 22 cycles |
| Paket | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Suhu Kerja | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Antarmuka | Parallel | — |
| Tipe Mounting | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Bebas Halogen | Yes | — |
| Organisasi | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Jumlah Pin | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |