W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB09J sa pamamagitan ng Winbond at NT6AN8T6WBJ1B1 sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Rate ng Data | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.2 V |
| Latensya ng CAS | 20 ns | 22 cycles |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Interface | Parallel | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |