W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB09J بواسطة Winbond و NT6AN8T6WBJ1B1 بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| معدل البيانات | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.2 V |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | 22 cycles |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| الواجهة | Parallel | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |