W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci W634GU6RB09J disebabkan oleh Winbond dan NT6AN8T6WBJ1B1 disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Merek | Winbond | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Kadar Data | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.2 V |
| Latensi CAS | 20 ns | 22 cycles |
| Kemasan | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| Suhu Operasi | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Boson Bebas | Yes | — |
| Organisasi | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Bilangan Pin | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |