W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של W634GU6RB09J מאת Winbond ו NT6AN8T6WBJ1B1 מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| מותג | Winbond | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| קצב נתונים | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.2 V |
| השהיית CAS | 20 ns | 22 cycles |
| מארז | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| ממשק | Parallel | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| מספר פינים | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |