W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 So sánh

So sánh chi tiết song song của W634GU6RB09J bằng Winbond và NT6AN8T6WBJ1B1 bằng Nanya Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ Hoạt động
Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số W634GU6RB09J NT6AN8T6WBJ1B1
Thương hiệu Winbond Nanya Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4Gbit (256M x 16) 8 Gb (512M x 16)
Tốc độ dữ liệu 1066 MHz (DDR3L-2133) 3200 MT/s
Điện áp cung cấp 1.35V 1.2 V
Latency CAS 20 ns 22 cycles
Hộp 96-VFBGA (7.5x13mm) 96-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C (Tc) 0C to +95C (TC)
Giao diện Parallel —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Tổ chức 256M x 16 —
Burst Length 8 and 4 8 (BL8), 4 (BC4)
Số lượng chân 96 —
Ball Pitch 0.8 mm —
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
Bank Groups — 4 groups of 4 banks
Row Address — 16 bits
Column Address — 10 bits

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá