W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma W634GU6RB09J tarafından Winbond ve NT6AN8T6WBJ1B1 tarafından Nanya TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marka | Winbond | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| Veri Hızı | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.2 V |
| CAS Gecikme | 20 ns | 22 cycles |
| Paket | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| Arayüz | Parallel | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |