W634GU6RB09J vs NT6AN8T6WBJ1B1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना W634GU6RB09J द्वारा Winbond और NT6AN8T6WBJ1B1 द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | W634GU6RB09J | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Winbond | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | 8 Gb (512M x 16) |
| डेटा दर | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 3200 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.2 V |
| CAS लेटेंसी | 20 ns | 22 cycles |
| पैकेज | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (TC) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |