NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16CP-DINA নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646D-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS লেটেন্সি | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| প্যাকেজ | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| ইন্টারফেস | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |