NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16CP-DINA bằng Nanya Technology và K4B4G1646D-BYK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DINA NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DINA ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16CP-DINA K4B4G1646D-BYK0
Thương hiệu Nanya Technology Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V 1.35 V (1.5 V compatible)
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (DDR3-1600) 1600 Mbps (PC3-12800)
Latency CAS 11 Programmable (e.g., 11, 10, 9)
Burst Length 8 8 (with burst chop 4)
Hộp TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch 96-ball FBGA
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Đông trùng haogen Yes —
Process Technology 70nm —
Giao diện CMOS —
Access Time 0.225 ns —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to 85°C
On-Die Termination — Yes
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
RoHS Compliant — Yes
Số lượng chân — 96
Die Revision — D-die

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá