NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16CP-DINA מאת Nanya Technology ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| השהיית CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| מארז | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| ממשק | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |