NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CP-DINA بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646D-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| معدل البيانات | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| زمن الوصول CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| العلبة | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| الواجهة | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |