NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16CP-DINA بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS لیٹنسی | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| پیکیج | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| انٹرفیس | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |