NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DINA द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646D-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| डेटा दर | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS लेटेंसी | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| पैकेज | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| इंटरफ़ेस | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |